Broadband,Inc.
〒121-0832
東京都足立区
古千谷本町4-7-9
お問い合わせ
TEL:03-5838-0082
ask@bblaser.com |
|
|
高品質非線形結晶を提供致します |

|
Raicol Crystals社
(Raicol)
|
|
RTP
EOデバイス 高速ポッケルスセル
|
|
|
|
|
カタログ1
カタログ2
論文サイトリンク
|
標準マウント
|
iRTPハウジング1
|
iRTPハウジング2
|
|
|
|
Raicol社のQスイッチは2個のRTP結晶を組み込んだ温度補償デザインを採用した動作−環境−機械安定化ポッケスルセル。RTP結晶は高い電気抵抗(10^11-10^12W-cm)と損傷閾値が特徴で、300kHzのQスイッチ動作でもピエゾリンギングが発生しません。
高速動作が可能、従来のKD*Pポッケスルセルの置き換えとして最適。
特に宇宙、メディカル、加工分野で導入が進んでいます。
|
|
特長:
- 高損傷閾値
- ピエゾリンギングフリー
- 低入射損失
- 熱補償デザイン
- 潮解性なし
- 高い消光比
- スペクトルレンジ ( 500-3000 nm )
iRTP 産業グレードRTPポッケルスセル
の特徴
温度安定化デザイン(10-50℃)
レーザーの初期安定化時間の低減
高動作周波数
>300kHz
高損傷閾値:
>1GW/cm2 (10J/cm2) @1064nm, 10ns
標準ハウジングサイズ:35mm
(円筒、直方体)
標準口径:
6X6, 8X8, 10X10mm
環境安定性(RTPは潮解性なし、保護窓不要)
1軸調整のみで使用できる安定化ハウジング
|
主な仕様:
- 透過率: > 98.5%
- Vλ/2 (1064nm):
4x4x20 mm: 1,600 V
6x6x20 mm: 2,400 V
9x9x20 mm: 3,600 V
- 消光比: > 20 dB @ 633 nm
- 有効径: from 2x2 mm² up to 15x15 mm²
- ARコーティング: R < 0.1% @ 1064 nm
- 損傷閾値: > 600 MW/cm² @ 1064 nm, 10 nsec pulse
|
2個の結晶(6x6x7mm)を使用したRTP
Qスイッチは動作周波数50kHzにてリンギングが発生しません。
|
BBO
Qスイッチ(2.5x2.5x2.5mm)は動作周波数30kHzでリンギングの発生が始まります。
|
Raicol紹介ページへ戻る▲
取扱製品一覧へ戻る▲
|
|
(C)2018-2025 Broadband,Inc., all rights reserved.
|