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Broadband,Inc.
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東京都足立区
古千谷本町4-7-9
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ask@bblaser.com
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Crystal Systems |
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Crystal
Systems 社 (メーカーサイト：
https://crystalsystems.com/
) |
HEM®
Ti:Sapphire （熱交換法チタンサファイア結晶）
Crystal
Systems社はＴｉ３+イオン量を最大化するための熱交換法（ＨＥＭ）により寄生吸収率を低減し高い性能指数（ＦＯＭ）を得ています。優れた結晶均質性と低い波面歪みにより結晶の大口径化が可能なため増幅器用レーザーなど次世代高強度レーザー応用に活用されています。
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● 会社概要 |
Crystal
Systems社は太陽光発電、LED、電子産業用の革新的な結晶成長装置を製造しています。またサファイア、シリコン基板をはじめとする精密光学デバイスの製造販売を行っています。その他応用デバイスとしてレーザー発振器用のチタンサファイア結晶の製造販売も行っています。
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● 特徴 |
- ・優れた結晶均質性 &大型結晶成長（口径：200mm、結晶長：75mmまで）
- ・優れた熱特性
- ・高い性能指数
(FOM)
- ・結晶散乱がない
- ・高い光損傷閾値
- ・大口径化、高ドープ濃度化が可能 吸収特性（0.5〜＞10cm-1
@514nm)
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● 仕様 |
ブリュースターカットＨＥＭチタンサファイア結晶
| Properties |
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| Grade |
Highly
Uniform crystalline HEM Grown Ti: sapphire crystals |
| Polish
Type |
Laser
Polish (10-5 or better Brewster's angle Ends) |
| Sapphire
Purity |
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| Orientation |
90° |
| Flatness |
L/10
flatness @632nm |
| Outside
Diameter Surface |
Fine
Ground |
| TWE |
L/4
P-V @632nm to minimize spatial variation and maximize beam
quality |
端面平行平面研磨コート付ＨＥＭチタンサファイア結晶
| Properties |
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| Grade |
HEM
grown with highly uniform crystalline structure |
| Polish
Type |
Low
Damage Super Polished faces, (Ra < 2 Å RMS) |
| Orientation |
90° |
| Orientation |
(1120)
A-axis, ± 1° |
| Diameter
Tolerance |
±
0.1 mm |
| Flatness |
L/10
flatness @632nm |
| Outside
Diameter Surface |
Fine
Ground |
| TWE |
L/4
P-V @632nm to minimize spatial variation and maximize beam
quality |
| Coating |
High
Damage Threshold AR Coating |
 HEM
Ti:Sapphireカタログ(PDF:324KB)
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● 各種データ
| 性能指数 VS.
吸収率
FOM
(Figure Of Merit) Vs. Absorption
熱交換法（ＨＥＭ）プロセスはチタンサファイア結晶のレーザー発振性能を究極に高めるようにデザインされています。それゆえ結晶性能指数（ＦＯＭ）がマーケットでは最も高くＦＯＭを実測している唯一の会社です。
FOM=(absorption
@514nm) / (absorption @800nm)
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| 吸収特性 ＶＳ． 蛍光特性
Absorption
/ Fluorescence
チタンサファイアレーザーはπ偏光で発振させます。右のチャートではπ偏光におけるチタンサファイア結晶の吸収と蛍光バンドを示しています。
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| ブリュースターカットレーザー結晶
Brewster
Cut Laser Crystal
小さいサイズの結晶の多くは両端面をブリュースターカットし反射損失を最小限にしています。
ブリュースターカット角は約60.4°です（結晶の屈折率は約1.76）
結晶のＣ軸ローテーションはπ偏光での発振効率に重要なためブリュースター角度のＣ軸に対する位置決め精度を大切にしています。
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| 反射防止コーティング
Anti-Reflection
Coating
マルチパス増幅高強度レーザー用途に高度な反射防止コーティングを行っています。
ポンプ波長、発振波長域において最小反射率に抑え損傷閾値を向上させています。カットし反射損失を最小限にしています。
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